技術アドバイザー紹介

真空技術/表面・薄膜技術/結晶工学/イオンビーム技術

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化合物半導体関連分野を中心に、薄膜成長装置からイオンビーム装置に至るまでの広範囲にわたる真空装置に関して、プロセス技術、装置設計の双方に精通しています。

工学博士

経歴

1977年 大手真空装置メーカー入社、研究開発部門に配属
 以来、プロセスを含めた真空装置の開発に携わる
 (1)高品質薄膜作成を目的とした薄膜形成過程“その場”評価装置の開発
  ・高速電子回折、オージェ電子分光、X線分光、イオン散乱分光等を用いた複合装置の開発
 (2)化合物半導体用プロセス装置の開発
  ・窒化物半導体用プロセス装置の開発(主に、分子線エピタキシー装置、有機金属気相成長装置)
  ・炭化ケイ素用プロセス装置の開発(イオン注入装置、活性化アニール装置、酸化膜形成装置等)
 (3)表面改質、高機能薄膜の作成を目的とした励起ビーム装置の開発
  ・ガスクラスターイオン源、高周波イオン源、ラジカル源等の各種励起ビーム源の開発
  ・低エネルギーイオンビーム照射装置、イオンビームスパッタ装置等の開発
2011年 同社退職
2012年~2016年 同社顧問

専門分野

真空技術,表面・薄膜技術,結晶工学,イオンビーム技術

セミナー・講演等実績

・“Molecular and ion beam epitaxy of GaAs, InP and InGaAsP”,
 化合物半導体国際会議(1985)
・「MBE-GaN{0001}膜の極性制御」, SiC研究会(1999)
・「SiCイオン注入装置及び活性化アニール装置の現状と課題」, SiC研究会個別討論会(2009)
・「パワーデバイス向け高温イオン注入装置及び活性化アニール装置の開発」,
 日本学術振興会(2010)
・“High temperature ion implantation and activation annealing technologies
 for mass production of SiC power device”, ICSCRM (2011)
 他、国内学会、国内研究会、国際会議での講演多数

書籍・論文等実績

・“ION BEAM ASSISTED FILM GROWTH”Elsevier Science Publishers(1989)(分担執筆)
・“Selectively Doped n-InAlAs/InP Heterostructures Grown by MOCVD”,
 Jpn. J. Appl. Phys.(1990)
・「先端真空利用技術」,日経技術図書(1991)(分担執筆)
・“Ion beam deceleration characteristics of a high current mass-separated,
 low-energy ion-beam deposition system”, Rev. Sci. Instrum. (1996)
・“Terminating Structure of Plasma-Assisted MBE Grown GaN(0001) Film Surface
 Identified by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy”,
 Jpn. J. Appl. Phys.(1998)
・「薄膜ハンドブック」,オーム社(2008)(分担執筆)
 他、著書、発表論文多数

受賞歴

・日本真空協会真空科学論文賞
・科学技術庁長官賞(研究功績者)

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