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真空技術・イオンビーム技術のコンサルタント
応用理学研究開発
化合物半導体関連分野を中心に、薄膜成長装置からイオンビーム装置に至るまで広範囲にわたる真空装置に関し、プロセス技術、装置設計の双方に精通しています。
経歴
1977年 大手真空装置メーカー入社、研究開発部門に配属
以来、プロセスを含めた真空装置の開発に携わる
（１）高品質薄膜作成を目的とした薄膜形成過程“その場”評価装置の開発
・高速電子回折、オージェ電子分光、Ｘ線分光、イオン散乱分光等を用いた複合装置の開発
（２）化合物半導体用プロセス装置の開発
・窒化物半導体用プロセス装置の開発（主に、分子線エピタキシー装置、有機金属気相成長装置）
・炭化ケイ素用プロセス装置の開発（イオン注入装置、活性化アニール装置、酸化膜形成装置等）
（３）表面改質、高機能薄膜の作成を目的とした励起ビーム装置の開発
・ガスクラスターイオン源、高周波イオン源、ラジカル源等の各種励起ビーム源の開発
・低エネルギーイオンビーム照射装置、イオンビームスパッタ装置等の開発
2011年 同社退職
2012年～2016年 同社顧問
専門分野
真空技術，表面・薄膜技術，結晶工学，イオンビーム技術
セミナー・講演等実績
・“Molecular and ion beam epitaxy of GaAs, InP and InGaAsP”,
化合物半導体国際会議（1985）
・「MBE-GaN｛0001｝膜の極性制御」, SiC研究会（1999）
・「SiCイオン注入装置及び活性化アニール装置の現状と課題」, SiC研究会個別討論会（2009）
・「パワーデバイス向け高温イオン注入装置及び活性化アニール装置の開発」,
日本学術振興会（2010）
・“High temperature ion implantation and activation annealing technologies
for mass production of SiC power device”, ICSCRM （2011）
他、国内学会、国内研究会、国際会議での講演多数
書籍・論文等実績
・“ION BEAM ASSISTED FILM GROWTH”Elsevier Science Publishers（1989）（分担執筆）
・“Selectively Doped n-InAlAs/InP Heterostructures Grown by MOCVD”,
Jpn. J. Appl. Phys.（1990）
・「先端真空利用技術」，日経技術図書（1991）（分担執筆）
・“Ion beam deceleration characteristics of a high current mass-separated,
low-energy ion-beam deposition system”, Rev. Sci. Instrum. (1996)
・“Terminating Structure of Plasma-Assisted MBE Grown GaN(0001) Film Surface
Identified by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy”,
Jpn. J. Appl. Phys.（1998）
・「薄膜ハンドブック」，オーム社（2008）（分担執筆）
他、著書、発表論文多数
受賞歴
・日本真空協会真空科学論文賞
・科学技術庁長官賞（研究功績者）
